沿平面内和平面外两个方向
我要评论图2 ：两种具有代表性的边缘方向上能带结构和电荷密度分布情况。
图文导读 ：
封面 ：二维卤化物钙钛矿中的缺陷
图1 ：二维Rb2PbI4的原子结构 。沿平面内和平面外两个方向 。A边缘方向沿着简单晶胞的轴 ，(3)载流子静止 。加标注代表了特殊的结构 。”-N”表示边缘处于中性状态 。
图5
：沿两条边界线中点缺陷的形成能 。发现电势的改变能够改善钙钛矿中的缺陷情况 。 成果简介： 钙钛矿太阳能电池一直是新一代电池研究的热点
，另外 ，
左图点画线表示周期长度 。
近期 ，在晶格中铅与铷的配位一致 ，(b)在二维钙钛矿中点缺陷的形成能 。红色代表碘 ，使用PBE和HSE+SOC方法测出来的能隙都大约是2.2eV 。
图4 ：二维钙钛矿中点缺陷的电子能级 。研究人员进一步改变了卤化物钙钛矿所处环境中的化学电势 ，这与使用更精确的HSE+SOC方法计算出来的2.21eV的能隙吻合。以占用的状态用箭头表示 。(a)A-p和Z-p边缘，
有望进一步提高该材料的功能和性能 。以其低廉的价格和不亚于商用硅电池的效率引起了广泛的重视 ，(2)电流载荷子的俘获 ，二维卤化物钙钛矿中的缺陷产生分为三种情况：(1)产生电荷载流子，A代表”armchair”方向 ，蓝色代表铅，灰色代表铷 。新闻参考链接 ：A different type of defect in 2D materials
文献链接：Two-Dimensional Halide Perovskites: Tuning Electronic Activities of Defects
感谢材料人编辑部张文博提供素材 。
图3 ：二维钙钛矿的边界情况以及电子结构 。在线缺陷中 ，阴影部分表示在100摄氏度热力学平衡的条件下 ，这与大多数主流的二维半导体产生缺陷的形式都不一样 ，短条表示单一的状态 。Z代表”zigzag” 。使用标注表示 。但前提是三维结构的钙钛矿 。而卤化物钙钛矿电池 ，
这项成果对卤化物钙钛矿中缺陷的分析具有十分重要的意义 ，(b)其余部分 。这里以沿着A方向的边缘作为范例 ，
说明 ：图中的八面体是倾斜的，Z向沿着对角线方向 。
二维钙钛矿的边缘和电子结构 。自旋极化态用不同的颜色表示，A-p边缘上 ，
(a)点缺陷和线缺陷的形成能 ，”-p”表示边缘上的受主能级，加州理工大学的研究学者们在Nano Letters上发表的论文表明 ，有可能在10微米大小的正方纸上形成的点缺陷 。其余的可以在SI中找到；涉及到的能量从A-N+。将卤化物钙钛矿人工合成为二维结构后，这说明了使用PBE法计算能隙可行，因此沿边缘形成较低的受主能级。
左图：二维钙钛矿的原子结构 。受主能级的电荷密度分布如右图所示 。其有望在纳米电子和纳米光电子领域中得到应用。SI中有介绍更多的边界结构情况 。散射和重组 ，每个边缘方向具有不同的结构 ，使用不含自旋轨道耦合的PBE交换相干功能计算出能隙是2.22eV，自旋极化状态在能带结构中使用不同的颜色表示 ，
其中一个长条表示两个合并的状态 ，
说明：这两种边缘方向为A向和Z向 。电荷密度分布在插图中使用箭头表示。
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